Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22,7 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
6.2mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
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2500
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22,7 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
6.2mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto


