MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4, VDSS 900 V, ID 3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5099PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STD3NK90ZT4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

90000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22,7 nC a 10 V

Anchura

6.2mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.6mm

Altura

2.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STD3NK90ZT4, VDSS 900 V, ID 3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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5

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5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
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30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
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Tipo de Montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.8 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

90000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22,7 nC a 10 V

Anchura

6.2mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.6mm

Altura

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