MOSFET STMicroelectronics STD35NF06T4, VDSS 60 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
80000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.2mm
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.210.000
$ 484 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.439.900
$ 575,96 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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DPAK (TO-252)
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3
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20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
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1
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6.2mm
Largo
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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