MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD30NF06LT4, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
35A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-252
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
28mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
23nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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10
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Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
35A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-252
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
28mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
23nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto

