MOSFET STMicroelectronics STD2N80K5, VDSS 800 V, ID 2 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

4.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

45 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+30 V

Número de elementos por chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

9,5 nC a 10 V

Anchura

6.2mm

Material del transistor

Si

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.4mm