MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Tipo P
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
TO-252
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
12nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Anchura
6.2 mm
Altura
2.4mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.615.000
$ 646 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.921.850
$ 768,74 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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Series
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
12nC
Tensión directa Vf
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Anchura
6.2 mm
Altura
2.4mm
Largo
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Certificaciones y estándares
RoHS
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No
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
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