MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Tipo P
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
TO-252
Serie
STripFET
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
12nC
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.6mm
Altura
2.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.615.000
$ 646 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.921.850
$ 768,74 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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Serie
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Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
12nC
Disipación de potencia máxima Pd
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1.1V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.6mm
Altura
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Certificaciones y estándares
No
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País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
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