MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
18A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
125mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
28nC
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.340.000
$ 1.336 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 3.974.600
$ 1.589,84 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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TO-252
Series
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Tipo de Montaje
Surface
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
125mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
28nC
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1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
6.2 mm
Altura
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Largo
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No
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