MOSFET STMicroelectronics STD25NF20, VDSS 200 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.2mm
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.340.000
$ 1.336 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 3.974.600
$ 1.589,84 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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N
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STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.2mm
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Operación
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