MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD25NF10LT4, VDSS 100 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
25A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-252
Serie
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
35mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
100W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
38nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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MOSFET
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Type N
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
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Serie
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Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
35mΩ
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Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
100W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
38nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
2.4mm
Longitud
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No
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