MOSFET STMicroelectronics STD25NF10LT4, VDSS 100 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 5 V
Profundidad
6.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 13.075
$ 2.615 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 15.559
$ 3.111,85 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 2.615 | $ 13.075 |
| 10 - 20 | $ 2.218 | $ 11.090 |
| 25 - 95 | $ 2.139 | $ 10.695 |
| 100 - 495 | $ 1.707 | $ 8.535 |
| 500+ | $ 1.562 | $ 7.810 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Si
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