MOSFET STMicroelectronics STD25NF10LT4, VDSS 100 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
6.2mm
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.158 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 3.445.050
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2500
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N
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100 V
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STripFET II
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
100 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
6.2mm
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
1
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Altura
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