
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
25A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET II
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
35mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
38nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-16, +16V
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
100W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.2mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
25A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET II
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
35mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
38nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-16, +16V
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
100W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.2mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.