Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
18A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Encapsulado
TO-252
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
125mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
28nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 2.857.500
$ 1.143 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 3.400.425
$ 1.360,17 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 2.857.500
$ 1.143 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 3.400.425
$ 1.360,17 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
2500
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
18A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Encapsulado
TO-252
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
125mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
28nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto


