Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
60 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
6.2mm
Material del transistor
Si
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 1.655.000
$ 662 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.969.450
$ 787,78 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 1.655.000
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$ 787,78 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
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2500
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
60 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
6.2mm
Material del transistor
Si
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto


