Transistor MOSFET STMicroelectronics STD20N20, VDSS 200 V, ID 18 A, D-PAK de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
DPAK
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
6.6mm
Anchura
6.2mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-50 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, descatalogados
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
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P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
5
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Largo
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
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