MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STD1NK60-1, VDSS 600 V, ID 1 A, Mejora, IPAK de 3 pines

Brand

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de Canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Encapsulado

IPAK

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30, +30V

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Longitud

6.6mm

Ancho

6.2mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No