MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD18N55M5, VDSS 550 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
13A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
550V
Encapsulado
TO-252
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
240mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.2 mm
Longitud
6.6mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.575
$ 3.575 Each (Sin IVA)
$ 4.254
$ 4.254 Each (IVA Inc.)
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 3.575 |
| 5 - 9 | $ 3.418 |
| 10 - 24 | $ 3.071 |
| 25 - 49 | $ 2.741 |
| 50+ | $ 2.615 |
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Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
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Series
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Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
240mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Máxima de Operación
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No
Ancho
6.2 mm
Longitud
6.6mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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