Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
165 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29,5 nC a 10 V
Anchura
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 9.925
$ 1.985 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 11.811
$ 2.362,15 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 9.925
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.985 | $ 9.925 |
| 25 - 45 | $ 1.887 | $ 9.435 |
| 50 - 120 | $ 1.695 | $ 8.475 |
| 125 - 245 | $ 1.525 | $ 7.625 |
| 250+ | $ 1.449 | $ 7.245 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
165 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29,5 nC a 10 V
Anchura
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


