Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,1 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.2mm
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 1.347.500
$ 539 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.603.525
$ 641,41 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 1.347.500
$ 539 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.603.525
$ 641,41 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
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2500
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,1 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.2mm
Altura
2.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto


