Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
16A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-252
Series
STripFET
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
70mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
14.1nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
16A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-252
Series
STripFET
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
70mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
14.1nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


