Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-252
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
279mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 4.917.500
$ 1.967 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 5.851.825
$ 2.340,73 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 4.917.500
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2500
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-252
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
279mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.


