MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD16N60M2, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-252
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
320mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
19nC
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 8.980
$ 1.796 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 10.686
$ 2.137,24 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.796 | $ 8.980 |
| 25 - 45 | $ 1.707 | $ 8.535 |
| 50 - 120 | $ 1.534 | $ 7.670 |
| 125 - 245 | $ 1.380 | $ 6.900 |
| 250+ | $ 1.310 | $ 6.550 |
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Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
19nC
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1.6V
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Longitud
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No
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Altura
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