MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-252
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
320mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
19nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 2.840.000
$ 1.136 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 3.379.600
$ 1.351,84 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-252
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
320mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
19nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
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No
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
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