MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión que forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida Mesh DM6. En comparación con la generación rápida Mesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación (Qrr) muy baja, tiempo de recuperación (trr) y una mejora excelente en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.

• Diodo de cuerpo de recuperación rápida
• Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior
• Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
• 100 % a prueba de avalancha
• Resistencia dv/dt extremadamente alta
• Protección Zener