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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-252
Serie
MDmesh II
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.36Ω
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
27nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
2.4mm
Largo
10.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MDmesh de segunda generación. Este revolucionario MOSFET de potencia asocia una estructura vertical con el diseño de tira de la empresa para producir una de las cargas de resistencia y puerta más bajas del mundo. Por lo tanto, es adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
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$ 8.885
$ 1.777 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 10.573
$ 2.114,63 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
|---|---|---|
| 5 - 45 | $ 1.777 | $ 8.885 |
| 50 - 95 | $ 1.688 | $ 8.440 |
| 100 - 495 | $ 1.562 | $ 7.810 |
| 500 - 995 | $ 1.440 | $ 7.200 |
| 1000+ | $ 1.386 | $ 6.930 |
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MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
TO-252
Serie
MDmesh II
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.36Ω
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
27nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
2.4mm
Largo
10.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
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El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MDmesh de segunda generación. Este revolucionario MOSFET de potencia asocia una estructura vertical con el diseño de tira de la empresa para producir una de las cargas de resistencia y puerta más bajas del mundo. Por lo tanto, es adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
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