Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Serie
MDmesh II
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.36Ω
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
27nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Largo
10.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.6mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MDmesh de segunda generación. Este revolucionario MOSFET de potencia asocia una estructura vertical con el diseño de tira de la empresa para producir una de las cargas de resistencia y puerta más bajas del mundo. Por lo tanto, es adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
Volver a intentar más tarde
$ 3.315.000
$ 1.326 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 3.944.850
$ 1.577,94 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 3.315.000
$ 1.326 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 3.944.850
$ 1.577,94 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Serie
MDmesh II
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.36Ω
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
27nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.5V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Largo
10.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.6mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MDmesh de segunda generación. Este revolucionario MOSFET de potencia asocia una estructura vertical con el diseño de tira de la empresa para producir una de las cargas de resistencia y puerta más bajas del mundo. Por lo tanto, es adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.