Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
7A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Pack
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
680mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
85W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
100nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Largo
6.6mm
Altura
2.17mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Volver a intentar más tarde
$ 2.315.000
$ 926 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 2.754.850
$ 1.101,94 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 2.315.000
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2500
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STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
7A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Pack
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
680mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
85W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
100nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Largo
6.6mm
Altura
2.17mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the MDmesh M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high-efficiency converters.