MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Tipo de Producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

420mΩ

Modo de canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.5nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Certificaciones y estándares

No

Ancho

6.2mm

Longitud:

6.6mm

Altura

2.17mm

Estándar de automoción

No