MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type P
Corriente continua máxima de drenaje ld
10A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
160mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6.4nC
Tensión directa Vf
-1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
7.45 mm
Altura
2.38mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.322.500
$ 529 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.573.775
$ 629,51 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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MOSFET
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Type P
Corriente continua máxima de drenaje ld
10A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Tipo de Encapsulado
TO-252
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
160mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6.4nC
Tensión directa Vf
-1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
7.45 mm
Altura
2.38mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
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País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
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