MOSFET STMicroelectronics STD10NF10T4, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,3 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Profundidad
6.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 720.000
$ 288 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 856.800
$ 342,72 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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1
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15,3 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Profundidad
6.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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