MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 786-3606PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STD10N60M2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

7.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

85000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13,5 nC a 10 V

Anchura

6.2mm

Material del transistor

Si

Series

MDmesh M2

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.4mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics

Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STD10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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5

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5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
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30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
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650 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

85000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13,5 nC a 10 V

Anchura

6.2mm

Material del transistor

Si

Series

MDmesh M2

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.4mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics

Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

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