Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
120W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 11.260
$ 2.252 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 13.399
$ 2.679,88 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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5
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STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
120W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


