MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-252
Series
STripFET H7
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Disipación de potencia máxima Pd
120W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.890.000
$ 1.556 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 4.629.100
$ 1.851,64 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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Series
STripFET H7
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Surface
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Disipación de potencia máxima Pd
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Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.6mm
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No
Ancho
6.2 mm
Altura
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No
Datos del producto
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