Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-252
Serie
STripFET H7
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
120W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
2.4mm
Longitud:
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.2mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
$ 3.890.000
$ 1.556 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 4.629.100
$ 1.851,64 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 3.890.000
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$ 1.851,64 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
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2500
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-252
Serie
STripFET H7
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
120W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
2.4mm
Longitud:
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.2mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.