MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB80NF55L-06T4, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
55V
Serie
STripFET II
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
7mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
100nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
No
Altura
4.6mm
Longitud:
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 2.488
$ 1.244 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 2.961
$ 1.480,36 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
55V
Serie
STripFET II
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
7mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
100nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
No
Altura
4.6mm
Longitud:
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

