
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
55V
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6.5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
142nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
4.37mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
9.35mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Volver a intentar más tarde
$ 2.237.000
$ 2.237 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 2.662.030
$ 2.662,03 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 2.237.000
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1000
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
55V
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6.5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
142nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
4.37mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
9.35mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.