Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
15mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
135nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET II
Tipo de Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
15mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
135nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto