MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB80NF10T4, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-263
Serie
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
15mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.3V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
135nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
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Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Enhancement
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300W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
135nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
4.6mm
Longitud
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No
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