Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.2A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-263
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.8Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
40nC
Tensión directa Vf
1.6V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
4.6mm
Longitud
10.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.2A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-263
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.8Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
40nC
Tensión directa Vf
1.6V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
4.6mm
Longitud
10.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto