Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
75A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
11mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
75nC
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
15 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 1.673.000
$ 1.673 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 1.990.870
$ 1.990,87 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 1.673.000
$ 1.673 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
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1000
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STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
75A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
11mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
75nC
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
15 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


