MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 900 V, ID 5.8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.8A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Encapsulado
TO-263
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46.5nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Altura
4.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
1000
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MOSFET
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Type N
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5.8A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
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Serie
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Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46.5nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Altura
4.6mm
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No
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