MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 900 V, ID 5.8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código de producto RS: 920-6639Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB6NK90ZT4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

Type N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

900V

Encapsulado

TO-263

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2Ω

Modo de Canal

Enhancement

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Certificaciones y estándares

No

Ancho

9.35 mm

Longitud

10.4mm

Altura

4.6mm

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 900 V, ID 5.8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

1000

Disponible en múltiplos de 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

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Encapsulado

TO-263

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2Ω

Modo de Canal

Enhancement

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Certificaciones y estándares

No

Ancho

9.35 mm

Longitud

10.4mm

Altura

4.6mm

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No

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