MOSFET STMicroelectronics STB6NK90ZT4, VDSS 900 V, ID 5,8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 920-6639Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB6NK90ZT4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

900 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Anchura

9.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

46,5 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STB6NK90ZT4, VDSS 900 V, ID 5,8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

1000

Disponible en múltiplos de 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

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10000P.O.A.
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2 Ω

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4.5V

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Si

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Altura

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