Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.8A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Encapsulado
TO-263
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2Ω
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46.5nC
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Altura
4.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
P.O.A.
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2
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.8A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
900V
Encapsulado
TO-263
Serie
MDmesh, SuperMESH
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2Ω
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46.5nC
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Altura
4.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


