MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
14mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
15 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
35nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
14mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
15 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
35nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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