MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4, VDSS 60 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Anchura
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 12.680
$ 2.536 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 15.089
$ 3.017,84 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 2.536 | $ 12.680 |
| 25 - 45 | $ 2.410 | $ 12.050 |
| 50 - 120 | $ 2.167 | $ 10.835 |
| 125 - 245 | $ 1.950 | $ 9.750 |
| 250+ | $ 1.852 | $ 9.260 |
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N
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D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
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14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
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Anchura
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Si
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1
Longitud:
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