MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4, VDSS 60 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET II
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
9.35mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 4,5 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
4.6mm
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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60 A
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Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET II
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
9.35mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 4,5 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
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País de Origen
China
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