MOSFET STMicroelectronics STB57N65M5, VDSS 710 V, ID 42 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 783-2977Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB57N65M5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

42 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

710 V

Series

MDmesh M5

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

63 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

9.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

98 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.6mm

País de Origen

China

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics

El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 14.317

$ 14.317 Each (Sin IVA)

$ 17.037

$ 17.037 Each (IVA Inc.)

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Estándar

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1$ 14.317
2$ 28.634
3$ 42.951
4$ 57.268
5$ 68.040
6$ 81.648
7$ 95.256
8$ 108.864
9$ 122.472
10$ 122.380
11$ 134.618
12$ 146.856
13$ 159.094
14$ 171.332
15$ 183.570

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8$ 108.864
9$ 122.472
10$ 122.380
11$ 134.618
12$ 146.856
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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4$ 14.317
5 - 9$ 13.608
10 - 24$ 12.238
25 - 49$ 11.025
50+$ 10.458

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MDmesh M5

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D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

63 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

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-25 V, +25 V

Anchura

9.35mm

Material del transistor

Si

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1

Largo

10.4mm

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98 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.6mm

País de Origen

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El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

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