Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
42A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Tipo de Encapsulado
TO-263
Serie
MDmesh M5
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
63mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
98nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Altura
4.6mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
1
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Temperatura Máxima de Operación
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Altura
4.6mm
Longitud:
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Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
No
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China
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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