MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STB55NF06T4, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Brand

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET II

Encapsulado

TO-263

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Modo de canal

Enhancement

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20, +20V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44.5nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS complaint

Anchura

9.35mm

Altura

4.6mm

Largo

10.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q200