Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET de potencia SuperMESH
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
4A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-263
Serie
SuperMESH
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
18.8nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-30, +30V
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
4.6mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
JEDEC JESD97
Ancho
9.35mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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5
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STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET de potencia SuperMESH
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
4A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-263
Serie
SuperMESH
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
18.8nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-30, +30V
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
4.6mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
JEDEC JESD97
Ancho
9.35mm
Estándar de automoción
No
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