MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB45N65M5, VDSS 710 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
35A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-263
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
78mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
82nC
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
210W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 10.301
$ 10.301 Each (Sin IVA)
$ 12.258
$ 12.258 Each (IVA Inc.)
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | $ 10.301 |
| 5 - 9 | $ 9.797 |
| 10 - 24 | $ 8.804 |
| 25 - 49 | $ 7.938 |
| 50+ | $ 7.513 |
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Encapsulado
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
78mΩ
Modo de Canal
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
82nC
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
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Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
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No
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9.35 mm
Altura
4.6mm
Estándar de automoción
No
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El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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